專利及專書--Jyi-Tsong Lin
| 編號 | 著作名稱 |
| 1 | 林吉聰, 陳鉦欣, "具有中間部分氧化層與側壁氧化層結構之垂直式單電晶體無電容式動態隨機存取記憶單元," 中華民國專利, 申請中 099130, Nov. 2010. |
| 2 | 林吉聰, 林勃劦. 張又哲, "一種垂直式多位元的SONOS記憶體元件的製造技術記憶單元," 中華民國專利,申請中 099131, Nov. 2010. |
| 3 | 1.林吉聰 2. 黃國棟 3.林高正, "具溝渠式矽覆絕緣層之動態隨機存取記憶體裝置及其製作方法/TRENCH SOI-DRAM CELL AND METHOD FOR MAKING THE SAME," 美國專利,US 7,800,111 B2, Sep. 2010. |
| 4 | 1.林吉聰 2.林勃劦, "平面式單極性互補金屬氧化半導體裝置及其製作方法," 中華民國專利,撰稿 申請中, Dec. 2009. |
| 5 | 1.林吉聰 2. 邱憲楠, "淺溝槽薄膜電晶體裝置及其製作方法," 中華民國專利,撰稿 申請中, Dec. 2009. |
| 6 | 1.林吉聰 2.郭志豪, "折疊式式單極性互補金屬氧化半導體裝置及其製作方法," 中華民國專利,撰稿 申請中, Dec. 2009. |
| 7 | 1.林吉聰 2.莊乃川, "單電子電晶體及其製作方法," 中華民國專利,撰稿 申請中, Dec. 2009. |
| 8 | 1.林吉聰 2.林勃劦, "鰭式單極性互補金屬氧化半導體裝置及其製作方法," 中華民國專利,撰稿 申請中, Dec. 2009. |
| 9 | 1.林吉聰 2.林勃劦, "垂直式單極性互補金屬氧化半導體裝置及其製作方法," 中華民國專利,撰稿 申請中 , Dec. 2009. |
| 10 | 1.林吉聰 2.陳炫旭, "新單極性互補金屬氧化半導操作原理及其製作方法," 中華民國專利,撰稿 申請中, Dec. 2009. |
| 11 | 1.Yi-Chuen Eng 2.Jyi-Tsong Lin 3.Micro Electronic and Mechanical Sys, "Self-Aligned Π-Shaped Source/Drain Ultrathin SOI MOSFETs," Book Chapter ISBN. 978-953-307-027-8, Dec. 2009. |
| 12 | 1.林吉聰 2.陳炫旭, "單極性對稱互補金屬氧化半導體裝置及其製作方法," 中華民國專利,撰稿 申請中 , Dec. 2009. |
| 13 | 1.林吉聰 2.陳炫旭 3.林勃劦, "單極性互補金屬氧化半導體裝置及其製作方法," 中華民國專利,撰稿 申請中, Dec. 2009. |
| 14 | 1.林吉聰 2.曾奕銘, "自我對齊1T無電容記憶體之新製造方法," 中華民國專利,撰稿 申請中, Dec. 2009. |
| 15 | 1.林吉聰, "金屬氧化半導體裝置之新製作技術," 中華民國專利,撰稿 申請中, Dec. 2009. |
| 16 | 1.林吉聰 2.高公楷 3.陳炫旭, "單擊單電子電晶體及其製作方法," 中華民國專利,撰稿 申請中, Dec. 2009. |
| 17 | 1.林吉聰 2.林高正 3.孫智鴻, "強熱穩定金屬氧化半導體裝置及其製作方法," 中華民國專利,撰稿 申請中, Dec. 2009. |
| 18 | 1.林吉聰 2.張子豐, "具Ω形傳導層之電晶體裝置及其製作方法," 中華民國專利,撰稿 申請中, Dec. 2009. |
| 19 | 1.林吉聰 2.邱憲楠, "1T無電容記憶體及其製造方法," 中華民國專利,撰稿 申請中, Dec. 2009. |
| 20 | 1.林吉聰, "僅包括NMOS電晶體之邏輯閘," 中華民國專利,申請案號：98115653, May 2009. |
| 21 | 1.林吉聰 2.黃奕泉 3.林勃劦, "具型半導體導通層之半導體裝置及其製造方法/ SEMICONDUCTOR DEVICE WITH -SHAPED SEMICONDUCTOR CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR MAKING THE SAME ," 美國專利,申請案號：12/437,361, May 2009. |
| 22 | 1.林吉聰 2.林勃劦 3.蔡英杰, "金屬氧化物半導體裝置及其製造方法," 中華民國專利,申請案號：98100728, Jan. 2009. |
| 23 | 1.林吉聰 2.蔡英杰 3.黃奕泉, "假三閘極垂直式矽覆絕緣裝置及其製作方法 VERTICAL SOI DEVICE WITH PSEUDO GATE AND THE METHOD FOR MAKING THE SAME ," 中華民國專利,申請案號：97151011, Dec. 2008. |
| 24 | 1.林吉聰 2.黃奕泉 3.林勃劦, "具型半導體導通層之半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH -SHAPED SEMICONDUCTOR CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR MAKING THE SAME ," 中華民國專利,申請案號：97143370, Nov. 2008. |
| 25 | 1.林吉聰 2.黃國棟, 3.林高正, "具溝渠式矽覆絕緣層之動態隨機存取記憶體裝置及其製作方法," 中華民國專利,申請案號：096139594, Oct. 2007. |
| 26 | 1.林吉聰 2.黃國棟 3.陳鶴庭, "假閘極全環繞矽覆絕緣裝置及其製作方法/SOI device with pseudo gate-all-around and the method for making the same," 中華民國專利,申請案號： 096140477, Oct. 2007. |
| 27 | 1.林吉聰 2.黃國棟3.陳鶴庭, "假閘極全環繞矽覆絕緣裝置及其製作方法," 中華民國專利, 申請案號：096140477, Oct. 2007. |
| 28 | 1.林吉聰 2.李泰儀, "具垂直式金氧半場效電晶體之半導體裝置及其製作方法," 中華民國專利I330405, Dec. 2006. |
| 29 | 1.林吉聰 2.林蔚青 3.陳震 4.黃奕泉 5.李和臨, "具有凸起氧化阻絕層及自我對準閘極之半導體裝置及其製作方法," 中華民國專利I310227, Oct. 2006. |
| 30 | 1.林吉聰 2.林蔚青 3.宋健宏 4.侯昭宇, "整合共振帶間穿隧二極體及MOS元件之半導體裝置及其製作方法," 中華民國專利I329366, Oct. 2006. |
| 31 | 1.林吉聰 2.李和臨 3.林蔚青, "雙邊垂直型多層依附架構之半導體元件及其製造方法," 中華民國專利I316271, Sep. 2006. |
| 32 | 1.林吉聰 2.張崇霖 3.江一帆, "具有旁側隔離氧化層之矽覆絕緣單電晶體裝置及其製作方法," 中華民國專利, 申請案號：095133749, Sep. 2006. |
| 33 | 1.林吉聰 2.林蔚青, "具水平形狀的儲存單元且在垂直方向彼此分離的雙閘極多位元SONOS記憶體及其製造方法," 中華民國 專利I309477, Aug. 2006. |
| 34 | 1.林吉聰 2.李泰儀, "具源極/本體單一接點及側邊環繞閘極之垂直式金氧半場效電晶體及其製作方法," 中華民國專利I313061, Aug. 2006. |
| 35 | 1.林吉聰 2.林蔚青3.李和臨, "自我對齊式非揮發性記憶單元及其製作方法," 中華民國專利I307141, Aug. 2006. |
| 36 | 1.林吉聰 2.林蔚青, "具強化浮體效應的U型槽1T記憶體及其製造方法," 中華民國 專利I304249, Aug. 2006. |
| 37 | 1.林吉聰 2.侯昭宇 3.林蔚青, "具共振帶間穿隧二極體之金屬氧化半導體裝置及其製作方法," 中華民國專利I308390, Aug. 2006. |
| 38 | 1.林吉聰 2.侯昭宇 3.林蔚青, "具共振帶間穿隧二極體之金屬氧化半導體裝置及其製作方法," 中華民國專利I318800, Aug. 2006. |
| 39 | 1.林吉聰 2.侯昭宇 3.林蔚青, "具共振帶間穿隧二極體及金屬氧化物半導體元件之邏輯電路," 中華民國專利I308377, Aug. 2006. |
| 40 | 1.林吉聰 2.林蔚青3.李和臨, "具有自我對齊之兩位元垂直型SONOS記憶體及其製造方法," 中華民國專利I299912, Jul. 2006. |
| 41 | 1.林吉聰 2.林蔚青, "調變源/汲極電壓的能陷記憶體及其製造方法," 中華民國 專利I310233, Jul. 2006. |
| 42 | 1.林吉聰 2.黃奕泉 3.陳震, "具π型半導體導通層之半導體裝置及其製造方法," 中華民國 專利I299893, Jul. 2006. |
| 43 | 1.林吉聰 2.林蔚青 3.宋健宏 4.侯昭宇, "整合共振帶間穿隧二極體及MOS元件之半導體裝置及其製作方法," 中華民國 專利I308394, Jul. 2006. |
| 44 | 1.林吉聰 2.林世聰, "具優質本體縛點之矽覆絕緣金屬氧化半導體裝置及其製作方法," 中華民國專利I 255552, Apr. 2005. |
| 45 | 1.林吉聰 2.黃國棟 3.胡淑芬, "單電子電晶體及其製作方法," 中華民國專利I 248663, Apr. 2005. |
| 46 | 1.林吉聰 2.江一帆, "矽覆部份絕緣場效電晶體及其製作方法," 中華民國專利I 255553, Apr. 2005. |
| 47 | 1.林吉聰 2.黃國棟 3.黃奕泉, "具ㄇ形閘極之電晶體裝置及其製作方法," 中華民國專利I 251934, Apr. 2005. |
| 48 | 1.林吉聰 2.吳志倫, "矽覆絕緣裝置及其製作方法," 中華民國專利I 279906, Mar. 2005. |
| 49 | 1.林吉聰 2.黃奕泉, "具有內部阻絕層之金屬氧化半導體之裝置及其製作方法," 中華民國專利I 241662, Dec. 2004. |
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